ЕТКС № 20 часть 1, § 26. Оператор плазмохимических процессов

ALLETKS.RU

ЕТКС № 1

ЕТКС № 2, часть 1

ЕТКС № 2, часть 2

ЕТКС № 3

ЕТКС № 4

ЕТКС № 5

ЕТКС № 6

ЕТКС № 7

ЕТКС № 8

ЕТКС № 9

ЕТКС № 10

ЕТКС № 11

ЕТКС № 12

ЕТКС № 13

ЕТКС № 14

ЕТКС № 15

ЕТКС № 16

ЕТКС № 17

ЕТКС № 18

ЕТКС № 19

ЕТКС № 20, часть 1

ЕТКС № 20, часть 2

ЕТКС № 21

ЕТКС № 22

ЕТКС № 23

ЕТКС № 24

ЕТКС № 25

ЕТКС № 26

ЕТКС № 27

ЕТКС № 28

ЕТКС № 29

ЕТКС № 32, 2000г.

ЕТКС № 32, 1984г.

ЕТКС № 33

ЕТКС № 35

ЕТКС № 36

ЕТКС № 37, 1984г.

ЕТКС № 37, 2001г.

ЕТКС № 40, 1985г.

ЕТКС № 40, 2002г.

ЕТКС № 41, 2002 г.

ЕТКС № 41, 1984 г.

ЕТКС № 43

ЕТКС № 44

ЕТКС № 45, 1984г.

ЕТКС № 45, 2004г.

ЕТКС № 46

ЕТКС № 47

ЕТКС № 48

ЕТКС № 49

ЕТКС № 50

ЕТКС № 51

ЕТКС № 53

ЕТКС № 55

ЕТКС № 56

ЕТКС № 57

ЕТКС № 58, 2003г.

ЕТКС № 58, 1984г.

ЕТКС № 59

ЕТКС № 60

ЕТКС № 64

ЕТКС № 66

ЕТКС № 69

ЕТКС № 70

ЕТКС № 71

ЕТКС № 72

Политика конфиденциальности:

Политика конфиденциальности

главная связь о проекте все о работе с pdf файлами

Все ЕТКС в одном месте!

Номер выпуска ЕТКС: 20 Часть 1 Скачать выпуск в PDF формате -

Наименование разделов ЕТКС: "Общие профессии производства изделий электронной техники", "Полупроводниковое производство"

Изменения от: 12 сентября 2001 г.

Документ, утвердивший выпуск: постановлением Минтруда РФ от 21 января 2000 г. N 5

Скачать в PDF формате -

§ 26. Оператор плазмохимических процессов

5-й разряд

Характеристика работ. Ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования. Нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом. Напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом. Подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы. Согласование нагрузок генератора высокой частоты. Выявление причин неисправностей в вакуумных системах. Выявление причин отклонения скорости плазмохимической обработки от заданной и их устранение. Корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений. Контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов.

Должен знать: системы подачи и натекания газов; основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов; основы плазмохимического осаждения; свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке; физические и химические основы технологических процессов в плазме; методы определения глубины травления; методы определения толщины окислов; устройство и настройку интерферометров.

Примеры работ

1. Пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе.

2. Пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора.

3. Пленки нитрида бора - плазмохимическое травление.

4. Фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и плазмохимическое травление.