ЕТКС № 20 часть 1, § 25. Оператор плазмохимических процессов

ALLETKS.RU

ЕТКС № 1

ЕТКС № 2, часть 1

ЕТКС № 2, часть 2

ЕТКС № 3

ЕТКС № 4

ЕТКС № 5

ЕТКС № 6

ЕТКС № 7

ЕТКС № 8

ЕТКС № 9

ЕТКС № 10

ЕТКС № 11

ЕТКС № 12

ЕТКС № 13

ЕТКС № 14

ЕТКС № 15

ЕТКС № 16

ЕТКС № 17

ЕТКС № 18

ЕТКС № 19

ЕТКС № 20, часть 1

ЕТКС № 20, часть 2

ЕТКС № 21

ЕТКС № 22

ЕТКС № 23

ЕТКС № 24

ЕТКС № 25

ЕТКС № 26

ЕТКС № 27

ЕТКС № 28

ЕТКС № 29

ЕТКС № 32, 2000г.

ЕТКС № 32, 1984г.

ЕТКС № 33

ЕТКС № 35

ЕТКС № 36

ЕТКС № 37, 1984г.

ЕТКС № 37, 2001г.

ЕТКС № 40, 1985г.

ЕТКС № 40, 2002г.

ЕТКС № 41, 2002 г.

ЕТКС № 41, 1984 г.

ЕТКС № 43

ЕТКС № 44

ЕТКС № 45, 1984г.

ЕТКС № 45, 2004г.

ЕТКС № 46

ЕТКС № 47

ЕТКС № 48

ЕТКС № 49

ЕТКС № 50

ЕТКС № 51

ЕТКС № 53

ЕТКС № 55

ЕТКС № 56

ЕТКС № 57

ЕТКС № 58, 2003г.

ЕТКС № 58, 1984г.

ЕТКС № 59

ЕТКС № 60

ЕТКС № 64

ЕТКС № 66

ЕТКС № 69

ЕТКС № 70

ЕТКС № 71

ЕТКС № 72

Политика конфиденциальности:

Политика конфиденциальности

главная связь о проекте все о работе с pdf файлами

Все ЕТКС в одном месте!

Номер выпуска ЕТКС: 20 Часть 1 Скачать выпуск в PDF формате -

Наименование разделов ЕТКС: "Общие профессии производства изделий электронной техники", "Полупроводниковое производство"

Изменения от: 12 сентября 2001 г.

Документ, утвердивший выпуск: постановлением Минтруда РФ от 21 января 2000 г. N 5

Скачать в PDF формате -

§ 25. Оператор плазмохимических процессов

4-й разряд

Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластин, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.

Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.

Примеры работ

1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.

2. Мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок.

3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.

4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.

5. Стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fе2О3.

Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.