ALLETKS.RU

При копировании материалов активная гиперссылка на Все ЕТКС обязательна.                                           © 2008 AllETKS.ru

ЕТКС № 1
ЕТКС № 2, часть 1
ЕТКС № 2, часть 2
ЕТКС № 3
ЕТКС № 4
ЕТКС № 5
ЕТКС № 6
ЕТКС № 7
ЕТКС № 8
ЕТКС № 9
ЕТКС № 10
ЕТКС № 11
ЕТКС № 12
ЕТКС № 13
ЕТКС № 14
ЕТКС № 15
ЕТКС № 16
ЕТКС № 17
ЕТКС № 18
ЕТКС № 19
ЕТКС № 20, часть 1
ЕТКС № 20, часть 2
ЕТКС № 21
ЕТКС № 22
ЕТКС № 23
ЕТКС № 24
ЕТКС № 25
ЕТКС № 26
ЕТКС № 27
ЕТКС № 28
ЕТКС № 29
ЕТКС № 32, 2000г.
ЕТКС № 32, 1984г.
ЕТКС № 33
ЕТКС № 35
ЕТКС № 36
ЕТКС № 37, 1984г.
ЕТКС № 37, 2001г.
ЕТКС № 40, 1985г.
ЕТКС № 40, 2002г.
ЕТКС № 41, 2002 г.
ЕТКС № 41, 1984 г.
ЕТКС № 43
ЕТКС № 44
ЕТКС № 45, 1984г.
ЕТКС № 45, 2004г.
ЕТКС № 46
ЕТКС № 47
ЕТКС № 48
ЕТКС № 49
ЕТКС № 50
ЕТКС № 51
ЕТКС № 53
ЕТКС № 55
ЕТКС № 56
ЕТКС № 57
ЕТКС № 58, 2003г.
ЕТКС № 58, 1984г.
ЕТКС № 59
ЕТКС № 60
ЕТКС № 64
ЕТКС № 66
ЕТКС № 69
ЕТКС № 70
ЕТКС № 71
ЕТКС № 72






Политика конфиденциальности:
Политика конфиденциальности

      главная             связь             о проекте        все о работе с pdf файлами


AllETKS.RU работать с ЕТКС стало проще.
Все ЕТКС в одном месте!

      Номер выпуска ЕТКС:   20 Часть 1 Скачать выпуск в PDF формате -


      Изменения от:  12 сентября 2001 г.

      Документ, утвердивший выпуск: постановлением Минтруда РФ от 21 января 2000 г. N 5

      Скачать в PDF формате -
§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии

5-й разряд

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 10 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.
Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.
Примеры работ
1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций.
2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.
3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.
5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.
6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и более.
7. Фоторезист - фильтрация через специальные приспособления.
8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5-10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.
9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.
10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.


При копировании материалов активная гиперссылка на Все ЕТКС обязательна.                                           © 2010 AllETKS.ru